BSS84

Польовий транзистор BSS84 виробництва Nexperia (колишня NXP Standard Product) представляє з себе виріб з каналом P-типу, виготовлене за фірмовою технологією DMOS (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) в корпусі типу SOT23/TO-236AB, розрахованому на поверхневий монтаж.

Даний MOSFET відрізняється можливість прямого управління затвором від CMOS/TTL-виходів цифрових мікросхем, висока швидкість перемикання.

МОП-транзистор рекомендується для застосування в пристроях телефонії, управління навантаженням типу реле і т.д.

Робочі характеристики BSS84:

• Опір каналу транзистора в відкритому стані - не вище 10 Ом;
• Допустима напруга витік-стік становить -50 В;
• Допустима напруга витік-затвор становить ± 20 В;
• Номінальний заявлений струм стоку (при 25 ° C і доданому напрузі затвор-витік -10 В) становить -130 мА;
• Піковий струм стоку (довжина імпульсу не більше 10 мкс) становить -520 мА;
• Максимальна заявлена ​​потужність розсіювання виробу - 0.25 Вт;
• Температура зберігання - від -65 ° C до + 150 ° C.