FQP19N20C

18.85 грн.

10 або більше: 18.47 грн.
100 або більше: 17.90 грн.
1000 або більше: 16.96 грн.
Виробник: Fairchild Semiconductor
Артикул: FQP19N20C
Доступно: 29

Доступні варіанти

N-Channel потужний МОП-транзистор який проводиться з використанням фірмової планарной технології DMOS від Fairchild Semiconductor.

Ця вдосконалена технологія MOSFET була спеціально розроблена для зниження опору у відкритому стані і для забезпечення чудових характеристик перемикання і витримування імпульсів високої енергії.

Польові QFET® транзистори підходять для використання в джерелах живлення з перемикаємим режимом, корекції коефіцієнта активної потужності (PFC) і електронних лампових баластів.

Корпус
Корпус TO-220-3, TO-220AB
Монтаж
Монтаж Крізь отвір
Робоча температура
Робоча температура -55°C ... 150°C
Струм
Струм 19 А
Упаковка
Упаковка 50 шт (туба)
Основні
Заряд затвора 53 нКл @ 10В
Кількість каналів 1
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 170 мОм
Полярність польовий
Потужність 139 Вт
Серія QFET
Структура N-канал
Тип MOSFET N-Channel
Напруга 200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969