IXGT30N120B3D1

568.20 грн.

10 або більше: 560.41 грн.
100 або більше: 543.26 грн.
1000 або більше: 514.67 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXGT30N120B3D1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 300 Вт
Струм
Струм 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.5 В
Структура З діодом
Струм (макс.) N/ А (25°C)
Технологія GENX3
Напруга 1200 В