IXYP15N65C3D1M

IXYP15N65C3D1M

200.97 грн.

10 або більше: 198.14 грн.
100 або більше: 192.08 грн.
1000 або більше: 181.97 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXYP15N65C3D1M
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 9A 650V XPT TO220AB
Корпус
Корпус TO220AB
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 48 Вт
Струм
Струм 9 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.5 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 16 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В
datasheet