MIEB100W1200TEH

MIEB100W1200TEH

8610.04 грн.

10 або більше: 8511.85 грн.
100 або більше: 8251.28 грн.
1000 або більше: 7817.00 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: MIEB100W1200TEH
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE SIX 128A 1200V SPT E3PACK
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 630 Вт
Струм
Струм 128 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт.
Основні
Кількість ключів 6
Напруга насичення (К-Е) 1.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 183 А (25°C)
Технологія SPT
Напруга 1200 В
datasheet