2N7002

Польовий N-канальний транзистор 2N7002 виготовляється на виробничих потужностях Nexperia ™ (колишня NXP Standard Product) із застосуванням фірмової технології Trench MOSFET. Ключовими особливостями даного МОП-транзистору є можливість управління затвором безпосередньо від рівнів напруги виходів популярних серій цифрових мікросхем, висока швидкість включення/вимикання і корпус виробу під поверхневий монтаж (SOT23/TO-236AB).

Основні/максимально допустимі робочі режими транзистора 2N7002:

• Робоча напруга стік-витік в заявленому температурному діапазоні від 25 ° C до 150 ° C - не менше 60 В;
• Робоча напруга на затворі (виміряний відносно витоку) становить +/- 30 В;
• Номінальна розсіюєма теплова потужність (при заявленій температурі навколишнього середовища 25 ° C) - 0.83 Вт;
• Номінальний струм стоку - 300 мА;
• Типовий опір каналу (при відмикаючій напрузі 10 В і його струмі 500 мА) - 2.8 Ом (максимум - 5 Ом);
• Максимальний робочий діапазон температур - від -65 ° C до +150 ° C;
• Максимальна допустима пікова напруга затвора щодо витоку становить +/- 40 В;
• Напруга пробою втік-витік при 25 ° C - не гірше 60 В (не гірше 55 В при -55 ° C);
• Піковий струм стоку - до 1.2 А.