Акции
220 мкФ 6.3 В 6.3x11 105 С
6.93 грн. 4.43 грн.
STM32F746G-DISCO
2160.68 грн. 1883.67 грн.

Цена
Производители
1
18
3
2
2
Структура
1
1
15
9
Ток
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
Напряжение
3
1
5
2
1
5
1
5
1
2
Монтаж
20
6
Корпус
1
2
1
1
2
1
14
5
5
1
Рассеиваемая мощность
2
2
1
6
1
1
2
2
1
1
1
1
Сопротивление откр. канала
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
Заряд затвора
1
1
1
1
2
1
1
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

в корзину

Корзина покупок
 

Полевые транзисторы

Отображение: список / сетка
Показать:
Сортировка:
IRLML2402TRPBF
N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором IRLML2402 принадлежит к пятому поколению тех..
2.58 грн.
Наличие: 6200
IRLML6244TRPBF
N-канальный полевой транзистор, напряжение истока-стока  -20 Вольт, непрерывный ..
2.49 грн.
Наличие: 3038
STN1HNK60
Силовой N-Канальный, МОП-транзистор, 600 В, 500 мА, 8 Ом, SOT-223 ..
6.09 грн.
Наличие: 2640
BSS84
Полевой транзистор BSS84 производства Nexperia (бывшая NXP Standard Product) представляет из себя из..
2.28 грн.
Наличие: 2463
2N7002
Полевой N-канальный транзистор 2N7002 изготавливается на производственных мощностях Nexperia™ (бывша..
1.00 грн.
Наличие: 2431
IRLML2502TRPBF
20-вольтовый одноканальный HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3 ..
2.63 грн.
Наличие: 2255
BSS123
Транзистор BSS123 производства Nexperia принадлежит к N-канальным изделиям с изолированным затвором,..
2.43 грн.
Наличие: 2022
IRLML2803TRPBF
30-вольтовый N-канальный HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3 Основные применения: Выключа..
3.32 грн.
Наличие: 1125
IRLML6402TRPBF
P-канальный, полевой транзистор; -20В; -2,2А; 1,3Вт; SOT23 ..
2.49 грн.
Наличие: 842
IRF7105TRPBF
Двухтранзисторная сборка от International Rectifier содержит в себе пару электрически не связан..
8.12 грн.
Наличие: 376
IRLML6401TRPBF
P-канальный полевой транзистор, напряжение истока-стока  -12 Вольта, непрерывный..
2.77 грн.
Наличие: 260
IRF5305PBF
МОП-транзистор серии HEXFET пятого поколения от International Rectifier, выполненый с использованием..
13.85 грн.
Наличие: 200
IRFR9024NTRPBF
Полевой P-канальный транзистор (MOSFET) в корпусе D-Pak на 55В/11А ..
10.85 грн.
Наличие: 100
IRLML0030TRPBF
MOSFET транзистор: N-канальный, 30 В, 5.3 А, 27 мОм ..
2.83 грн.
Наличие: 98
IRF7313PBF
Двух N-канальный полевой транзистор IRF7313PBF на 30В, 6.5А в корпусе SO-8 ..
13.63 грн.
Наличие: 95

Полевой транзистор - это трёхвыводное (исток-сток-затвор) твёрдотельное полупроводниковое устройство, в котором поток носителей заряда управляется внешним напряжением, прилагаемым к затвору. Наиболее распространены два типа ПТ, определяемых устройством затвора: с pn-переходом и с изолированным затвором (МДП- или МОП-транзисторы - от "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Проводник", англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors).

В свою очередь, МОП-транзисторы подразделяются по типу канала (n- или p- - это зависит от того, какие основные носители определяют проводимость канала) и технологии изготовления канала (с обеднением или обогащением). Четыре возможные комбинации этих свойств определяют наличие/отсутствие тока исток-сток при напряжении затвора равном нулю, а также необходимую полярность и величину запирающего/порогового напряжения.

Из выходных характеристик МОП-транзистора необходимо знать как минимум следующие: максимально возможное рабочее напряжение сток-исток (превышение этой величины разрушает ПТ), максимальное напряжение на затворе (его превышение приводит к необратимому пробою и разрушению затвора, что также выводит ПТ из строя), рабочее сопротивление канала и крутизну выходной характеристики. Данные эти обязательно приводятся в сопроводительной техдокументации от производителя, там же в виде графиков указывается допустимый разброс параметров изделий одного типа и граничные области/режимы эксплуатации (включая изменение параметров при нагреве - что особо важно для сильноточных устройств). 

Главное: никогда не пренебрегайте просмотром оригинальной документации от производителя!

Ливен | Designed for Liv Energy