Категории
Случайный товар:
2EDGKM-7.5-12P-14-00A(H)
2EDGKM-7.5-12P-14-00A(H)
140.30 грн.
8EDGRC-5.0-04P-19-00A(H)
8EDGRC-5.0-04P-19-00A(H)
17.09 грн.

в корзину

Корзина покупок
 
Главная » Активные компоненты » Дискретные полупроводники » Полевые транзисторы » BSS123

BSS123

BSS123
Производитель: NXP Semiconductors
Модель: BSS123,215
Наличие: 2022
Цена: 2.46 грн.

100 или более: 1.35 грн.
500 или более: 1.11 грн.
1000 или более: 0.93 грн.
Кол-во:     - или -   В закладки
В сравнение

Транзистор BSS123 производства Nexperia принадлежит к N-канальным изделиям с изолированным затвором, произведённым по фирменной технологии Trench. Отличительными особенностями BSS123 являются прямое управление затвором от уровней напряжения выходных каскадов цифровых ИС популярных серий, сверхвысокая скорость переключения и корпусировка в SOT23 (под поверхностный монтаж).

Характеристики и граничные рабочие режимы транзистора BSS123:

  • напряжение предельное сток-исток (при температуре 25 °C/150 °C) - 100 В;
  • напряжение предельное затвор-исток - до ±20 В;
  • ток стока постоянный - до 150 мА;
  • ток стока импульсный - до 600 мА;
  • рассеиваемая мощность предельная - до 0.25 Вт;
  • сопротивление канала (при токе стока 120 мА и напряжении затвора 10 В) - типовое 3.5 Ом, максимальное - 6 Ом;
  • ток стока при нулевом напряжении на затворе (напряжение сток-исток 60 В) - типовой 10 нА, максимальный - 100 нА;
  • максимальная задержка включения/выключения - до 10 нс/20 нс;
  • допустимый рабочий диапазон -55 °C/+150 °C.
Основные
Заряд затвора 1.8 нКл
Количество каналов 1
Конфигурация одиночный
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Мощность 250 мВт
Сопротивление откр. канала 6 Ом при 120 мА, 10 В
Структура N-канал
Тип MOSFET Small Signal
Ток 150 мА
Упаковка 3000 шт (в ленте)
Напряжение 100 В
Код УКТ ВЕД 8541210090

BSS123 Datasheet (139.62KB)

Ливен | Designed for Liv Energy