РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
FQP19N20C
FQP19N20C
20.58 грн.
10 або більше: 20.17 грн.
100 або більше: 19.55 грн.
1000 або більше: 18.52 грн.
100 або більше: 19.55 грн.
1000 або більше: 18.52 грн.
N-Channel потужний МОП-транзистор який проводиться з використанням фірмової планарной технології DMOS від Fairchild Semiconductor.
Ця вдосконалена технологія MOSFET була спеціально розроблена для зниження опору у відкритому стані і для забезпечення чудових характеристик перемикання і витримування імпульсів високої енергії.
Польові QFET® транзистори підходять для використання в джерелах живлення з перемикаємим режимом, корекції коефіцієнта активної потужності (PFC) і електронних лампових баластів.
| Корпус | |
| Корпус | TO-220-3, TO-220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | Крізь отвір |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ... 150°C |
| Струм | |
| Струм | 19 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт (туба) |
| Основні | |
| Заряд затвора | 53 нКл @ 10В |
| Кількість каналів | 1 |
| Конфігурація | одиночний |
| Опір відкр. каналу | 170 мОм |
| Полярність | польовий |
| Потужність | 139 Вт |
| Серія | QFET |
| Структура | N-канал |
| Тип | MOSFET N-Channel |
| Напруга | 200 В |