РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
FQP19N20C
FQP19N20C
20.58 грн.
10 или более 20.17 грн.
100 или более 19.55 грн.
1000 или более 18.52 грн.
100 или более 19.55 грн.
1000 или более 18.52 грн.
N-Channel мощный МОП-транзистор который производится с использованием фирменной планарной технологии DMOS от Fairchild Semiconductor.
Эта усовершенствованная технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии и для обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии.
Полевые QFET® транзисторы подходят для использования в источниках питания с переключаемым режимом, коррекции коэффициента активной мощности (PFC) и электронных ламповых балластов.
| Корпус | |
| Корпус | TO-220-3, TO-220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | Сквозное отверстие |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ... 150°C |
| Ток | |
| Ток | 19 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт (туба) |
| Основные | |
| Заряд затвора | 53 нКл @ 10В |
| Количество каналов | 1 |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 139 Вт |
| Полярность | полевой |
| Серия | QFET |
| Сопротивление откр. канала | 170 мОм |
| Структура | N-канал |
| Тип | MOSFET N-Channel |
| Напряжение | 200 В |