Категорії
IRLML2803TRPBF
Доступно: 29904
21.66 грн.
30-вольта N-канальний HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3
..
IRLML6402TRPBF
Доступно: 12822
23.19 грн.
P-канальний, польовий транзистор; -20В; -2,2А; 1,3 Вт; SOT23
..
IRLML2402TRPBF
Доступно: 6200
13.80 грн.
N-канальний польовий транзистор з ізольованим затвором IRLML2402 належить до п'ятого покоління техно..
IRLML5203TRPBF
Доступно: 6168
31.52 грн.
-30В одноканальний (P-канал) HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3
..
IRFR9024NTRPBF
Доступно: 3878
50.46 грн.
Польовий P-каналльний транзистор (MOSFET) в корпусі D-Pak на 55В/11А
..
IRLML6244TRPBF
Доступно: 2997
23.85 грн.
N-канальний польовий транзистор, напруга живлення витоку-стоку 20 Вольт, безперервний струм сто..
IRF7105TRPBF
Доступно: 2412
20.57 грн.
Двухтранзисторная сборка от International Rectifier содержит в себе пару электрически не связан..
IRF5305PBF
Доступно: 2024
91.41 грн.
МОП-транзистор серії HEXFET п'ятого покоління від International Rectifier, виконаний з використанням..
IRF4905PBF
Доступно: 1396
173.63 грн.
МОП-транзистор HEXFET з одним P-каналом -55V в корпусі TO-220AB
..
IRF2805PBF
Доступно: 958
156.11 грн.
Структура: n-канал
Максимальна напруга стік-витік Uсі, В: 55
Максимальний струм сток-витік при 25 ..
IRLML6401TRPBF
Доступно: 260
22.74 грн.
P-канальний польовий транзистор, напруга витоку-стоку -12 Вольта, безперервний струм стоку -4,3 Ампе..
IRF7313PBF
Доступно: 95
21.67 грн.
Двох N-канальний польовий транзистор IRF7313PBF на 30В, 6.5А в корпусі SO-8
..
IRFD110PBF
Доступно: 65
40.95 грн.
IRFD110 відноситься до третього покоління Польових транзисторів від Vishay, яке відрізняється характ..
IRLML2502TRPBF
Доступно: 5
36.04 грн.
20-вольтовий одноканальний HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3
..
Польовий транзистор - це трививідний (витік-стік - затвір) твердий напівпровідниковий пристрій , в якому потік носіїв заряду керується зовнішньою напругою , прикладеною до затвору. Найбільш поширені два типи ПТ, що визначаються пристроєм затвора: з pn - переходом і з ізольованим затвором (МДП або МОП-транзистори - від "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Провідник, англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors").
У свою чергу, МОП- транзистори поділяються на кшталт каналу (n- або p- - це залежить від того , які основні носії визначають провідність каналу) і технології виготовлення каналу (з збіднінням або збагаченням). Чотири можливі комбінації цих властивостей визначають наявність/відсутність струму витік-стік при напрузі затвора рівному нулю, а також необхідну полярність і величину замикаючої/порогової напруги .
З вихідних характеристик МОП-транзистора необхідно знати як мінімум наступні: максимально можлива робоча напруга стік-витік (перевищення цієї величини руйнує ПТ), максимальна напруга на затворі (його перевищення призводить до необоротного пробою і руйнування затвора, що також виводить ПТ з ладу), робочий опір каналу і крутизну вихідної характеристики. Дані ці обов'язково наводяться в супровідній техдокументації від виробника, там же в вигляді графіків вказується допустимий розкид параметрів виробів одного типу і граничні області/режими експлуатації (включаючи зміну параметрів при нагріванні - що особливо важливо для сильноточних пристроїв).
Головне: ніколи не нехтуйте переглядом оригінальної документації від виробника!
РУС
УКР










