Спеціальні
220 мкФ 6.3 В 6.3x11 105 С
6.93 грн. 4.43 грн.
STM32F746G-DISCO
2160.68 грн. 1883.67 грн.

1
18
3
2
2
1
1
15
9
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
3
1
5
2
1
5
1
5
1
2
20
6
1
2
1
1
2
1
14
5
5
1
2
2
1
6
1
1
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
1
2
1
1
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

в кошик

Корзина покупок
 

Польові транзистори

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
IRLML0100TRPBF
100-вольта N-канальний HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3 ..
3.32 грн.
Наявність: 7130
IRLML2402TRPBF
N-канальний польовий транзистор з ізольованим затвором IRLML2402 належить до п'ятого покоління техно..
2.58 грн.
Наявність: 6200
IRLML2502TRPBF
20-вольтовий одноканальний HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3 ..
2.63 грн.
Наявність: 5511
IRLML6244TRPBF
N-канальний польовий транзистор, напруга живлення витоку-стоку 20 Вольт, безперервний струм сто..
2.49 грн.
Наявність: 3038
STN1HNK60
Силовий N-Канальний, МОП-транзистор, 600 В, 500 мА, 8 Ом, SOT-223 ..
6.09 грн.
Наявність: 2640
BSS84
Польовий транзистор BSS84 виробництва Nexperia (колишня NXP Standard Product) представляє з себе вир..
2.28 грн.
Наявність: 2463
2N7002
Польовий N-канальний транзистор 2N7002 виготовляється на виробничих потужностях Nexperia ™ (колишня ..
1.00 грн.
Наявність: 2431
IRLML5203TRPBF
-30В одноканальний (P-канал) HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3 ..
3.19 грн.
Наявність: 2353
BSS123
Транзистор BSS123 виробництва Nexperia належить до N-канальних виробів з ізольованим затвором, ..
2.43 грн.
Наявність: 2022
IRLML2803TRPBF
30-вольта N-канальний HEXFET Power MOSFET в корпусі Micro 3 ..
3.32 грн.
Наявність: 1125
IRLML6302TRPBF
Структура: p-канал Максимальна напруга стік-витік Uсі, В:-20 Максимальний струм сток-витік при 25 ..
3.68 грн.
Наявність: 1030
IRLML6402TRPBF
P-канальний, польовий транзистор; -20В; -2,2А; 1,3 Вт; SOT23 ..
2.49 грн.
Наявність: 842
IRF7105TRPBF
Двухтранзисторная сборка от International Rectifier содержит в себе пару электрически не связан..
8.12 грн.
Наявність: 376
IRLML6401TRPBF
P-канальний польовий транзистор, напруга витоку-стоку -12 Вольта, безперервний струм стоку -4,3 Ампе..
2.77 грн.
Наявність: 260
IRFR9024NTRPBF
Польовий P-каналльний транзистор (MOSFET) в корпусі D-Pak на 55В/11А ..
10.85 грн.
Наявність: 100

Польовий транзистор - це трививідний (витік-стік - затвір) твердий напівпровідниковий пристрій , в якому потік носіїв заряду керується зовнішньою напругою , прикладеною до затвору. Найбільш поширені два типи ПТ, що визначаються пристроєм затвора: з pn - переходом і з ізольованим затвором (МДП або МОП-транзистори - від "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Провідник, англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors").

У свою чергу, МОП- транзистори поділяються на кшталт каналу (n- або p- - це залежить від того , які основні носії визначають провідність каналу) і технології виготовлення каналу (з збіднінням або збагаченням). Чотири можливі комбінації цих властивостей визначають наявність/відсутність струму витік-стік при напрузі затвора рівному нулю, а також необхідну полярність і величину замикаючої/порогової напруги .

З вихідних характеристик МОП-транзистора необхідно знати як мінімум наступні: максимально можлива робоча напруга стік-витік (перевищення цієї величини руйнує ПТ), максимальна напруга на затворі (його перевищення призводить до необоротного пробою і руйнування затвора, що також виводить ПТ з ладу), робочий опір каналу і крутизну вихідної характеристики. Дані ці обов'язково наводяться в супровідній техдокументації від виробника, там же в вигляді графіків вказується допустимий розкид параметрів виробів одного типу і граничні області/режими експлуатації (включаючи зміну параметрів при нагріванні - що особливо важливо для сильноточних пристроїв).


Головне: ніколи не нехтуйте переглядом оригінальної документації від виробника!

Ливен | Designed for Liv Energy