Польовий транзистор - це трививідний (витік-стік - затвір) твердий напівпровідниковий пристрій , в якому потік носіїв заряду керується зовнішньою напругою , прикладеною до затвору. Найбільш поширені два типи ПТ, що визначаються пристроєм затвора: з pn - переходом і з ізольованим затвором (МДП або МОП-транзистори - від "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Провідник, англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors").
У свою чергу, МОП- транзистори поділяються на кшталт каналу (n- або p- - це залежить від того , які основні носії визначають провідність каналу) і технології виготовлення каналу (з збіднінням або збагаченням). Чотири можливі комбінації цих властивостей визначають наявність/відсутність струму витік-стік при напрузі затвора рівному нулю, а також необхідну полярність і величину замикаючої/порогової напруги .
З вихідних характеристик МОП-транзистора необхідно знати як мінімум наступні: максимально можлива робоча напруга стік-витік (перевищення цієї величини руйнує ПТ), максимальна напруга на затворі (його перевищення призводить до необоротного пробою і руйнування затвора, що також виводить ПТ з ладу), робочий опір каналу і крутизну вихідної характеристики. Дані ці обов'язково наводяться в супровідній техдокументації від виробника, там же в вигляді графіків вказується допустимий розкид параметрів виробів одного типу і граничні області/режими експлуатації (включаючи зміну параметрів при нагріванні - що особливо важливо для сильноточних пристроїв).
Головне: ніколи не нехтуйте переглядом оригінальної документації від виробника!