Біполярні транзистори з ізольованим затвором

Польовий транзистор з ізольованим затвором (він же МДП / МОП-транзистор - або MOSFET в англійській транскрипції) має перед біполярними важливу перевагу: практично нульовий струм затвора (статичний струм витоку, а проте в динаміці все не настільки райдужно: якщо ємність затвора велика, то динамічний струм витоку теж буде великий - таке трапляється з потужними польовими транзисторами). Подібного неможливо домогтися за звичайними біполярними транзисторами - і тому були зроблені спроби "схрестити" обидва сімейства, що призвело до появи IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором або БТІЗ в російськомовній літературі).

Фактично, це складовою транзистор: вхідний каскад виконаний на МОП-транзисторі, який керує таким каскадом - біполярним транзистором великої потужності. IGBT-транзистори випускаються і окремо, і у вигляді спеціальних збірок, які використовуються в трифазних мережах, що обумовлено їх основною сферою застосування: частотно-регульовані приводи, інвертори та імпульсні регулятори струму (включаючи джерела зварювального струму). Скрізь вони забезпечують високий ККД перетворення і рекуперацію електроенергії (останнє особливо важливо при управлінні потужними електроприводами і на електротранспорті).

Важливо зауважити, що IGBT-транзистори - це порівняно низькошвидкісні напівпровідникові перемикаючі прилади: їх зазвичай використовують до частот 20-50 кГц.