Биполярные транзисторы с изолированным затвором

Полевой транзистор с изолированным затвором (он же МДП/МОП-транзистор - или MOSFET в английской транскрипции) имеет перед биполярным важное преимущество: практически нулевой ток затвора (статический ток утечки; однако в динамике всё не настолько радужно: если ёмкость затвора велика, то динамический ток утечки тоже будет велик - такое случается с мощными полевыми транзисторами). Подобного невозможно добиться с обычными биполярными транзисторами - и поэтому были сделаны попытки "скрестить" оба семейства, что привело к появлению IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором или БТИЗ в русскоязычной литературе).

Фактически, это составной транзистор: входной каскад выполнен на МОП-транзисторе, который управляет следующим каскадом - биполярным транзистором большой мощности. IGBT-транзисторы выпускаются и отдельно, и в виде специальных сборок, используемых в трёхфазных сетях, что обусловлено их основной сферой применения: частотно-регулируемые приводы, инверторы и импульсные регуляторы тока (включая источники сварочного тока). Везде они обеспечивают высокий КПД преобразования и рекуперацию электроэнергии (последнее особенно важно при управлении мощными электроприводами и на электротранспорте).

Важно заметить, что IGBT-транзисторы - это сравнительно низкоскоростные полупроводниковые переключающие приборы: их обычно используют до частот 20-50 кГц.