FDD850N10L

FDD850N10L

65.77 грн.

10 або більше: 64.46 грн.
100 або більше: 62.48 грн.
1000 або більше: 59.19 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FDD850N10L
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.15.7A 100V N-CH TO252(DPAK) TRENCH SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 15.7 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 640 мОм
Потужність 50 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH
Час відновлення 38 нс
Напруга 100 В
datasheet