FQA6N90C

481.51 грн.

10 або більше: 471.88 грн.
100 або більше: 457.44 грн.
1000 або більше: 433.36 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FQA6N90C
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.6A 900V N-CH TO3P QFET THT
Корпус
Корпус TO-3P
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 6 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 2.3 Ом
Потужність 198 Вт
Структура N-канал
Технологія QFET
Час відновлення 630 нс
Напруга 900 В