HGTG10N120BND

200.00 грн.

10 або більше: 196.00 грн.
100 або більше: 190.00 грн.
1000 або більше: 180.00 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: HGTG10N120BND
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 17A 1200V NPT TO247-3
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 298 Вт
Струм
Струм 17 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.45 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 35 А (25°C)
Технологія NPT
Напруга 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969