HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

232.14 грн.

10 або більше: 227.50 грн.
100 або більше: 220.54 грн.
1000 або більше: 208.93 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: HGTG10N120BND
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 17A 1200V NPT TO247-3
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 298 Вт
Струм
Струм 17 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.45 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 35 А (25°C)
Технологія NPT
Напруга 1200 В
datasheet