HGTG10N120BND

200.00 грн.

10 или более 196.00 грн.
100 или более 190.00 грн.
1000 или более 180.00 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: HGTG10N120BND
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 17A 1200V NPT TO247-3
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 298 Вт
Ток
Ток 17 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.45 В
Структура С диодом
Технология NPT
Ток (макс.) 35 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969