IRFD110
IRFD110
48.28 грн.
10 або більше: 47.31 грн.
100 або більше: 45.86 грн.
1000 або більше: 43.45 грн.
100 або більше: 45.86 грн.
1000 або більше: 43.45 грн.
MOSFET DIS.1A 100V N-CH HEXDIP4 POWER THT
Корпус | |
Корпус | DIP-4 |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+175°C |
Струм | |
Струм | 1 А |
Упаковка | |
Упаковка | 100 шт. (TUBE) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 540 мОм |
Потужність | 1.3 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | POWER |
Час відновлення | 100 нс |
Напруга | 100 В |