РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBA16N170AHV
IXBA16N170AHV
1848.92 грн.
10 або більше: 1827.46 грн.
100 або більше: 1771.52 грн.
1000 або більше: 1678.28 грн.
100 або більше: 1771.52 грн.
1000 або більше: 1678.28 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263(D2P
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 150 Вт |
| Струм | |
| Струм | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 6 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 16 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 1700 В |