РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBA16N170AHV
IXBA16N170AHV
1 848.92 грн.
10 или более 1 827.46 грн.
100 или более 1 771.52 грн.
1000 или более 1 678.28 грн.
100 или более 1 771.52 грн.
1000 или более 1 678.28 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263(D2P
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |