IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV

1965.27 грн.

10 или более 1942.46 грн.
100 или более 1883.00 грн.
1000 или более 1783.89 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBA16N170AHV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263(D2P
Корпус
Корпус TO263 (D2PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 150 Вт
Ток
Ток 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 16 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet