РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBA16N170AHV
IXBA16N170AHV
1956.53 грн.
10 или более 1933.82 грн.
100 или более 1874.62 грн.
1000 или более 1775.96 грн.
100 или более 1874.62 грн.
1000 или более 1775.96 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263(D2P
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |