IXBF20N360

IXBF20N360

3794.68 грн.

10 або більше: 3604.79 грн.
100 або більше: 3494.44 грн.
1000 або більше: 3310.52 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBF20N360
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUSI4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 230 Вт
Струм
Струм 18 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 45 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3600 В
datasheet