IXBF20N360

4 015.53 грн.

10 или более 3 814.59 грн.
100 или более 3 697.82 грн.
1000 или более 3 503.20 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBF20N360
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUSI4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 230 Вт
Ток
Ток 18 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 45 А (25°C)
Напряжение 3600 В