IXBF20N360

3474.98 грн.

10 или более 3301.09 грн.
100 или более 3200.04 грн.
1000 или более 3031.61 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBF20N360
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 18A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUSI4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 230 Вт
Ток
Ток 18 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 45 А (25°C)
Напряжение 3600 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969