IXBF50N360

IXBF50N360

7222.68 грн.

10 або більше: 7078.23 грн.
100 або більше: 6861.55 грн.
1000 або більше: 6500.42 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBF50N360
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUS i4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 290 Вт
Струм
Струм 28 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.4 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 70 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3600 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969