IXBF50N360

IXBF50N360

7222.68 грн.

10 или более 7078.23 грн.
100 или более 6861.55 грн.
1000 или более 6500.42 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXBF50N360
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4

Корпус
Корпус	ISOPLUS i4-PAC
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	290 Вт
Ток
Ток	28 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2.4 В
Структура	С диодом
Технология	BIMOSFET
Ток (макс.)	70 А (25°C)
Напряжение	3600 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969