РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBF50N360
IXBF50N360
7 887.18 грн.
10 или более 7 729.44 грн.
100 или более 7 492.82 грн.
1000 или более 7 098.46 грн.
100 или более 7 492.82 грн.
1000 или более 7 098.46 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS i4-PAC |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 290 Вт |
| Ток | |
| Ток | 28 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.4 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 70 А (25°C) |
| Напряжение | 3600 В |