РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBF50N360
IXBF50N360
8346.21 грн.
10 или более 8179.29 грн.
100 или более 7928.90 грн.
1000 или более 7511.59 грн.
100 или более 7928.90 грн.
1000 или более 7511.59 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 28A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI4
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS i4-PAC |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 290 Вт |
| Ток | |
| Ток | 28 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.4 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 70 А (25°C) |
| Напряжение | 3600 В |