IXBF55N300

IXBF55N300

5567.94 грн.

10 або більше: 5456.58 грн.
100 або більше: 5289.54 грн.
1000 або більше: 5011.15 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBF55N300
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUS i4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 357 Вт
Струм
Струм 34 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.7 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 86 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3000 В
datasheet