IXBF55N300

IXBF55N300

5918.31 грн.

10 или более 5799.94 грн.
100 или более 5622.39 грн.
1000 или более 5326.48 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBF55N300
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUS i4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 357 Вт
Ток
Ток 34 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.7 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 86 А (25°C)
Напряжение 3000 В
datasheet