IXBF55N300

IXBF55N300

5840.09 грн.

10 или более 5723.29 грн.
100 или более 5548.09 грн.
1000 или более 5256.08 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBF55N300
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 34A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Корпус
Корпус ISOPLUS i4-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 357 Вт
Ток
Ток 34 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.7 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 86 А (25°C)
Напряжение 3000 В
datasheet