IXBH10N170

IXBH10N170

579.16 грн.

10 або більше: 620.69 грн.
100 або більше: 601.69 грн.
1000 або більше: 570.02 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBH10N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 140 Вт
Струм
Струм 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 20 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet