IXBH10N170

IXBH10N170

612.87 грн.

10 или более 656.82 грн.
100 или более 636.71 грн.
1000 или более 603.20 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH10N170
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 140 Вт
Ток
Ток 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 20 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet