IXBH40N160

IXBH40N160

1111.32 грн.

10 або більше: 1089.09 грн.
100 або більше: 1055.75 грн.
1000 або більше: 1000.19 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBH40N160
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 1600V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 350 Вт
Струм
Струм 20 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 6.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 33 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1600 В
datasheet