IXBH40N160

IXBH40N160

1111.32 грн.

10 или более 1089.09 грн.
100 или более 1055.75 грн.
1000 или более 1000.19 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH40N160
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 1600V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 350 Вт
Ток
Ток 20 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6.2 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 33 А (25°C)
Напряжение 1600 В
datasheet