РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBH40N160
IXBH40N160
1 111.32 грн.
10 или более 1 089.09 грн.
100 или более 1 055.75 грн.
1000 или более 1 000.19 грн.
100 или более 1 055.75 грн.
1000 или более 1 000.19 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 1600V BIMOSFET TO247
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 350 Вт |
| Ток | |
| Ток | 20 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6.2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 33 А (25°C) |
| Напряжение | 1600 В |