IXBH42N170

IXBH42N170

1690.58 грн.

10 або більше: 1671.10 грн.
100 або більше: 1619.94 грн.
1000 або більше: 1534.68 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBH42N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 360 Вт
Струм
Струм 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet