IXBH42N170

1 690.58 грн.

10 или более 1 671.10 грн.
100 или более 1 619.94 грн.
1000 или более 1 534.68 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH42N170
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 360 Вт
Ток
Ток 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 80 А (25°C)
Напряжение 1700 В