РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBH42N170
IXBH42N170
1 788.98 грн.
10 или более 1 768.35 грн.
100 или более 1 714.22 грн.
1000 или более 1 624.00 грн.
100 или более 1 714.22 грн.
1000 или более 1 624.00 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO247
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 360 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |