IXBH9N160G

IXBH9N160G

360.78 грн.

10 або більше: 353.56 грн.
100 або більше: 342.74 грн.
1000 або більше: 324.70 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBH9N160G
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 5A 1600V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 100 Вт
Струм
Струм 5 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 7 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 9 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1600 В
datasheet