IXBH9N160G

IXBH9N160G

378.41 грн.

10 или более 370.85 грн.
100 или более 359.49 грн.
1000 или более 340.57 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH9N160G
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 5A 1600V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 100 Вт
Ток
Ток 5 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 7 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 9 А (25°C)
Напряжение 1600 В
datasheet