РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBH9N160G
IXBH9N160G
360.78 грн.
10 или более 353.56 грн.
100 или более 342.74 грн.
1000 или более 324.70 грн.
100 или более 342.74 грн.
1000 или более 324.70 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 5A 1600V BIMOSFET TO247
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 100 Вт |
| Ток | |
| Ток | 5 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 9 А (25°C) |
| Напряжение | 1600 В |