IXBK75N170

IXBK75N170

4077.26 грн.

10 або більше: 4030.32 грн.
100 або більше: 3906.95 грн.
1000 або більше: 3701.32 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBK75N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 75A 1700V TO-264 BIMOSFET
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 1040 Вт
Струм
Струм 75 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 200 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet