IXBK75N170

IXBK75N170

5025.67 грн.

10 или более 4341.09 грн.
100 или более 4341.09 грн.
1000 или более 4341.09 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBK75N170
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 75A 1700V TO-264 BIMOSFET
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 1040 Вт
Ток
Ток 75 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 200 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet