IXBL60N360

IXBL60N360

7893.48 грн.

10 або більше: 7735.61 грн.
100 або більше: 7498.81 грн.
1000 або більше: 7104.13 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBL60N360
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5
Корпус
Корпус ISOPLUSI5-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 417 Вт
Струм
Струм 36 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 92 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3600 В
datasheet