IXBL60N360

8352.88 грн.

10 или более 8185.82 грн.
100 или более 7935.24 грн.
1000 или более 7517.59 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBL60N360
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 36A 3600V BIMOSFET ISOPLUSI5
Корпус
Корпус ISOPLUSI5-PAC
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 417 Вт
Ток
Ток 36 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 92 А (25°C)
Напряжение 3600 В