РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBN75N170
IXBN75N170
5 956.71 грн.
10 або більше: 5 645.19 грн.
100 або більше: 5 472.38 грн.
1000 або більше: 5 184.36 грн.
100 або більше: 5 472.38 грн.
1000 або більше: 5 184.36 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасі |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 625 Вт |
| Струм | |
| Струм | 75 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 3.1 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 145 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 1700 В |