РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBN75N170
IXBN75N170
6 236.16 грн.
10 или более 6 164.55 грн.
100 или более 5 975.84 грн.
1000 или более 5 661.33 грн.
100 или более 5 975.84 грн.
1000 или более 5 661.33 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 625 Вт |
| Ток | |
| Ток | 75 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.1 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 145 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |