IXBN75N170

IXBN75N170

8414.56 грн.

10 или более 7055.75 грн.
100 или более 7055.75 грн.
1000 или более 7055.75 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBN75N170
Доступно: 1

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT MOD.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET SOT227B
Корпус
Корпус SOT227B
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 625 Вт
Ток
Ток 75 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.1 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 145 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet