IXBN75N170A

IXBN75N170A

4 003.67 грн.

10 або більше: 3 794.07 грн.
100 або більше: 3 677.92 грн.
1000 або більше: 3 484.35 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBN75N170A
Доступно: 2

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT MOD.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET SOT227B
Корпус
Корпус SOT227B
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 500 Вт
Струм
Струм 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 75 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet