РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBN75N170A
IXBN75N170A
4435.06 грн.
10 или более 4384.25 грн.
100 или более 4250.04 грн.
1000 или более 4026.36 грн.
100 или более 4250.04 грн.
1000 или более 4026.36 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 500 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 75 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |