IXBT10N170

IXBT10N170

585.25 грн.

10 або більше: 578.32 грн.
100 або більше: 560.62 грн.
1000 або більше: 531.11 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT10N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 130 Вт
Струм
Струм 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.4 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 20 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet