РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBT10N170
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT10N170
543.75 грн.
10 або більше: 529.60 грн.
100 або більше: 513.38 грн.
1000 або більше: 486.36 грн.
100 або більше: 513.38 грн.
1000 або більше: 486.36 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 130 Вт |
| Струм | |
| Струм | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 3.4 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 20 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 1700 В |