IXBT10N170

IXBT10N170

634.31 грн.

10 или более 530.81 грн.
100 или более 530.81 грн.
1000 или более 530.81 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT10N170
Доступно: 27

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 130 Вт
Ток
Ток 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.4 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 20 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet