РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT10N170
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT10N170
543.75 грн.
10 или более 529.60 грн.
100 или более 513.38 грн.
1000 или более 486.36 грн.
100 или более 513.38 грн.
1000 или более 486.36 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 130 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.4 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 20 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |