IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

2402.40 грн.

10 або більше: 2354.35 грн.
100 або більше: 2282.28 грн.
1000 або більше: 2162.16 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT12N300HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 160 Вт
Струм
Струм 12 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 30 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3000 В
datasheet