РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBT12N300HV
IXBT12N300HV
2 270.27 грн.
10 або більше: 2 224.86 грн.
100 або більше: 2 156.75 грн.
1000 або більше: 2 043.24 грн.
100 або більше: 2 156.75 грн.
1000 або більше: 2 043.24 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 160 Вт |
| Струм | |
| Струм | 12 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 2.8 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 30 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 3000 В |