РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT12N300HV
IXBT12N300HV
2 270.27 грн.
10 или более 2 224.86 грн.
100 или более 2 156.75 грн.
1000 или более 2 043.24 грн.
100 или более 2 156.75 грн.
1000 или более 2 043.24 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 160 Вт |
| Ток | |
| Ток | 12 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 30 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |