РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT12N300HV
IXBT12N300HV
2402.40 грн.
10 или более 2354.35 грн.
100 или более 2282.28 грн.
1000 или более 2162.16 грн.
100 или более 2282.28 грн.
1000 или более 2162.16 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 160 Вт |
| Ток | |
| Ток | 12 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 30 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |