IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

2413.13 грн.

10 или более 2364.86 грн.
100 или более 2292.47 грн.
1000 или более 2171.81 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT12N300HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 160 Вт
Ток
Ток 12 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 30 А (25°C)
Напряжение 3000 В
datasheet