IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

981.71 грн.

10 або більше: 963.87 грн.
100 або більше: 934.36 грн.
1000 або більше: 885.18 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT16N170AHV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 150 Вт
Струм
Струм 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 16 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet