IXBT16N170AHV
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT16N170AHV
906.25 грн.
10 или более 882.66 грн.
100 или более 855.64 грн.
1000 или более 810.61 грн.
100 или более 855.64 грн.
1000 или более 810.61 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
Ток | |
Ток | 10 А (90°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
Напряжение | 1700 В |