РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT16N170AHV
IXBT16N170AHV
1 047.33 грн.
10 или более 836.83 грн.
100 или более 836.83 грн.
1000 или более 836.83 грн.
100 или более 836.83 грн.
1000 или более 836.83 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |