РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBT20N360HV
IXBT20N360HV
5266.80 грн.
10 або більше: 5161.46 грн.
100 або більше: 5003.46 грн.
1000 або більше: 4740.12 грн.
100 або більше: 5003.46 грн.
1000 або більше: 4740.12 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 430 Вт |
| Струм | |
| Струм | 20 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 2.9 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 70 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 3600 В |