IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

4823.07 грн.

10 або більше: 4726.61 грн.
100 або більше: 4581.92 грн.
1000 або більше: 4340.76 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT20N360HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 430 Вт
Струм
Струм 20 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.9 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 70 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3600 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969